參數(shù)資料
型號(hào): IRFU12N25DPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 250V , RDS(on)max = 0.26ヘ , ID = 14A )
中文描述: HEXFET功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 250V時(shí),RDS(on)的最大值\u003d 0.26ヘ,身份證\u003d 14A條)
文件頁數(shù): 6/11頁
文件大小: 235K
代理商: IRFU12N25DPBF
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
110
220
330
440
550
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
3.4A
5.9A
8.4A
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