- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377511 > IRFU3706 (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=75A) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFU3706 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=75A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 9.0mohm，身份證\u003d 75A條） |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | IRFU3706 |
IRFR/U3706
10
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 0.54mH
R
G
= 25
, I
AS
= 28A.
Notes:
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
IR EUROPEAN
REGIONAL CENTER:
439/445 Godstone Rd, Whyteleafe, Surrey CR3 OBL, UK Tel: ++ 44 (0)20 8645 8000
IR CANADA:
15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 (0) 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 011 451 0111
IR JAPAN:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo 171 Tel: 81 (0)3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 (0)838 4630
IR TAIWAN:
Data and specifications subject to change without notice. 7/00
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 30A.
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEED DIRECTION
FEED DIRECTION
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOW N IN MILLIMETERS ( INCHES ).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
NOTES :
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481.
16 mm
13 INCH
D-Pak (TO-252AA) Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFR3706 | Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=75A) |
| IRFR3706TRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-252AA |
| IRFR3706TRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-252AA |
| IRFR3707Z | HEXFET Power MOSFET |
| IRFU3707Z | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFU3706-701PBF | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 75A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU3706CPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET |
| IRFU3706PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFU3707 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFU3707PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。