參數(shù)資料
型號： IRFU3708PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： Replacement for Texas Instruments part number SN74LS138N. Buy from authorized manufacturer Rochester Electronics.
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 228K
代理商： IRFU3708PBF
IRFR/U3708PbF
2
www.irf.com
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
213
62
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
Symbol
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
61
244
Min. Typ. Max. Units
49
–––
–––
24
–––
6.7
–––
5.8
–––
14
–––
7.2
–––
50
–––
17.6
–––
3.7
–––
2417
–––
707
–––
52
Conditions
V
DS
= 15V, I
D
= 50A
–––
––– I
D
= 24.8A
–––
nC
–––
21
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
S
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, I
D
= 24.8A, V
DS
= 15V
V
DD
= 15V
I
D
= 24.8A
R
G
= 0.6
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 31A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 31A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 31A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.88
0.80
41
64
43
70
1.3
–––
62
96
65
105
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.028 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
30
Typ.
–––
Max. Units
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
8.5
10.0
15.0
–––
–––
–––
–––
–––
12.5
14.0 m
30.0
2.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 7.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
V
μA
nA
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PDF描述
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IRFU3709ZCPbF HEXFET Power MOSFET
IRFR3711Z HEXFET Power MOSFET
IRFU3711Z HEXFET Power MOSFET
IRFR3911PBF SMPS MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFU3709PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 30V 90A I-PAK
IRFU3709Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFU3709Z-701P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 86A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU3709ZCPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
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