參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU4105
廠商： International Rectifier
英文描述： 55V,27A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,27A,N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 55V的，第27A條，N溝道HEXFET功率MOSFET（55V的，第27A條，?溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
文件大?。?/td> 144K
代理商： IRFU4105
IRFR/U4105
www.irf.com
9
Package Outline
TO-251AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-251AA (I-PARK)
Part Marking Information
6.73 (.265)
6.35 (.250)
- A -
6.22 (.245)
5.97 (.235)
- B -
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
0.25 (.010) M A M B
2.28 (.090)
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
LE AD A SS IGN ME NTS
1 - GATE
2 - D RA IN
3 - SOU R C E
4 - D RA IN
N OTE S:
1 D IM EN S ION IN G & TOLE RA N C IN G PE R A N SI Y 14.5M, 1982.
2 C ON TROLLIN G D IM EN SION : IN C H .
3 C ON FOR MS TO JED EC OU TLIN E TO-252A A.
4 D IM EN S ION S S HOW N A R E B EF ORE SOLD ER D IP,
SOLDE R DIP MA X. +0.16 (.006).
9.65 (.380)
8.89 (.350)
3X
2.28 (.090)
1.91 (.075)
1.52 (.060)
1.15 (.045)
4
1 2 3
6.45 (.245)
5.68 (.224)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
ASSEMBLY
LOT CODE
FIRST PORTION
OF PART NUMBER
SECOND PORTION
OF PART NUMBER
120
9U 1P
EXAMPLE : THIS IS AN IRFU120
W ITH ASSEMBLY
LOT CODE 9U1P
IRFU
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS17N20DPBF HEXFET Power MOSFET
IRFSL17N20DPBF HEXFET Power MOSFET
IRFS23N15DPBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFSL23N15DPBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRFS23N15D 150V,23A,SMPS MOSFET for High frequency DC-DC converters(150V,23A,開(kāi)關(guān)電源 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，用于高頻DC-DC變換器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU4105PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 25A 45mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU4105Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU4105ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU4105ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:48W
IRFU4105ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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