參數資料
型號： IRFU4105PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數： 1/10頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： IRFU4105PBF
IRFR4105PbF
IRFU4105PbF
HEXFET
Power MOSFET
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
lowest possible on-resistance per silicon area. This
benefit, combined with the fast switching speed and
ruggedized device design that HEXFET Power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient device for use in a wide
variety of applications.
Parameter
Max.
27
19
100
68
0.45
± 20
65
16
6.8
5.0
Units
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 175
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
2.2
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
www.irf.com
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount) **
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
D-PAK
TO-252AA
I-PAK
TO-251AA
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount (IRFR4105)
Straight Lead (IRFU4105)
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
The D-PAK is designed for surface mounting using
vapor phase, infrared, or wave soldering techniques.
The straight lead version (IRFU series) is for through-
hole mounting applications. Power dissipation levels
up to 1.5 watts are possible in typical surface mount
applications.
PD - 95550A
1
S
D
G
V
DSS
= 55V
R
DS(on)
= 0.045
I
D
= 27A
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PDF描述
IRFR430APBF HEXFET Power MOSFET
IRFU430APBF HEXFET Power MOSFET
IRFR6215PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU6215PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFR9310PBF HEXFET POWER MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRFU4105ZPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 30A 24.5mOhm 18nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU4105ZPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR POWER DISSIPATION:48W
IRFU4105ZTR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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