參數(shù)資料
型號： IRFU48Z
廠商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽車MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 333K
代理商： IRFU48Z
2
www.irf.com
S
D
G
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
gfs
Forward Transconductance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
55
–––
–––
2.0
120
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.054
–––
8.86
11
–––
4.0
–––
–––
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
40
60
11
–––
15
–––
15
–––
61
–––
40
–––
35
–––
4.5
–––
V
V/°C
m
V
S
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Internal Drain Inductance
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
L
D
nC
ns
Between lead,
nH
6mm (0.25in.)
from package
L
S
Internal Source Inductance
–––
7.5
–––
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 44V
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
1720
290
160
1000
230
360
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
37
A
–––
–––
250
–––
–––
–––
–––
20
14
1.3
40
28
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 37A
V
DS
= 44V
V
GS
= 10V
V
DD
= 28V
I
D
= 37A
R
G
= 12
V
DS
= 25V, I
D
= 37A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
Conditions
V
GS
= 10V
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 37A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 37A, V
DD
= 28V
di/dt = 100A/μs
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 37A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50μA
相關PDF資料
PDF描述
IRFR5305PBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 1200; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 113; Grade: -3; Package: Lead-Free TQFP; Pins: 144; Temp.: AUTO
IRFU5305PBF LA-MachXO Automotive Non-Volatile PLD For Low-Density Applications; LUTs: 1200; Supply Voltage: 1.2V; I/Os: 211; Grade: -3; Package: Lead-Free ftBGA; Pins: 256; Temp.: AUTO
IRFR5305 -55V,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-55V,P溝道 HEXFET功率MOS場效應管)
IRFRU5305 Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A)
IRFU5305 Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.065ohm, Id=-31A)
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參數(shù)描述
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IRFU5305PBF 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -55V -28A 65mOhm 42nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU540Z 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFU540ZPBF 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A IPAK RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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