型號(hào): | IRFU5410 |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d- 100V的,的Rds(on)\u003d 0.205ohm,身份證\u003d- 13A條) |
文件頁數(shù): | 7/10頁 |
文件大?。?/td> | 215K |
代理商: | IRFU5410 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFR9020 | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
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IRFR9024PBF | HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.28ヘ , ID = -8.8A ) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFU5410PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -100V -13A 205mOhm 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFU5505 | 功能描述:MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRFU5505GPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance |
IRFU5505HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 55V 18A 3PIN IPAK - Bulk |
IRFU5505PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT P-Ch -55V -18A 110mOhm 21.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |