參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU6215PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢ Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/11頁(yè)
文件大?。?/td> 250K
代理商： IRFU6215PBF
IRFR/U6215PbF
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
G
A
-
Q , Total Gate Charge (nC)
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = -6.6A
V = -120V
V = -75V
V = -30V
0.1
1
10
100
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
T = 25°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
T = 175°C
1
10
100
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10ms
A
-
D
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
10μs
100μs
1ms
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
0
400
800
1200
1600
2000
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR9310PBF HEXFET POWER MOSFET
IRFU9310PBF HEXFET POWER MOSFET
IRFR9N20DPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU9N20DPbF HEXFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRFU9010 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9010PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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