型號: | IRFU9012 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-251AA |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| P通道| 50V五(巴西)直| 4.5AI(四)|對251AA |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 49K |
代理商: | IRFU9012 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFU9111 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 3.2A I(D) | TO-251 |
IRFD212 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 450MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD222 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 700MA I(D) | TO-250AA |
IRFD2Z0 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 320MA I(D) | TO-250VAR |
IRFD2Z2 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFU9014 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFU9014PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFU9020 | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFU9020PBF | 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFU9020TU | 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 7/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |