參數(shù)資料
型號(hào)： IRFU9022
廠商： International Rectifier
英文描述： REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS
中文描述： 重復(fù)性雪崩和DV /受好評(píng)的HEXFET三極管胸苷
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 238K
代理商： IRFU9022
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PDF描述
IRFR9022 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS
IRFR9024PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.28ヘ , ID = -8.8A )
IRFU9024PBF HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(on) = 0.28ヘ , ID = -8.8A )
IRFR9024 Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
IRFU9024 Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU9022PBF 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFU9024 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9024N 功能描述:MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU9024NCPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET
IRFU9024NHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK
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