參數(shù)資料
型號： IRFU9214PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -250V , RDS(on) = 3.0ヘ , ID = -2.7A )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d - 250V，的RDS（on）\u003d 3.0ヘ，身份證\u003d - 2.7A）
文件頁數(shù)： 10/10頁
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代理商： IRFU9214PBF
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TAC Fax: (310) 252-7903
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12/04
#
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEED DIRECTION
FEED DIRECTION
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
NOTES :
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481.
16 mm
13 INCH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR9N20D N-Channel SMPS MOSFET,for High Frequency DC-DC Converters(應(yīng)用于高頻 DC-DC轉(zhuǎn)換器的N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFU9N20D N-Channel SMPS MOSFET,for High Frequency DC-DC Converters(應(yīng)用于高頻 DC-DC轉(zhuǎn)換器的N溝道開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFRC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A)
IRFUC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.0A)
IRFRU024N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU9220 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9220PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFU9221 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-251AA
IRFU9222 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-251AA
IRFU9310 功能描述:MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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