參數(shù)資料
型號: IRFU9310PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET POWER MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 2/10頁
文件大?。?/td> 264K
代理商: IRFU9310PBF
2
www.irf.com
'
$%3%%:
%:*,')/"-==
3$%3%;
2"7%7)*')/
0%,%*"%*
*,')/
'
1
'
'
#'&
#@
1
+
=%&
#
'
#'&
#'
#'&
#1'&'
#>'&'
#'
#'
#
'
/
1
3
'
'
'
& #@
9
#
@
'
#'
#'&"
'
#
23%0%,%*.:/
23%6%.:/
")27%/
23%7%/
2$%BC))%B7%/
"%;$)8"
"
"%;==$)8"
0))"
'
'
A
A
A
>
#
>
'
'
#>'
#'&30/*>
#'
'
#
#
#(
1
,
30/
,)*&
=%-:/
*%=*
--
;--
6%"%=%-
+
'
'
#'
#'
-0
(
D#CEF&30/
E
!"#
.
%)$% *
.
%)3% *
1
+
$%3%.:/%%
$%"
3%%%
*8$*
)*3%%%
*8$*
$*0%,%*')/
6%6%8"
6%6%87%/
0%,%*"%;"
C;305"8)
7,/7
/%)%6%
-G**
#&
#&
**#@
'
1
'
"
#&'
#
#'
+
1
"
A
9
%%/)/)%**8.
<.
9
+
7*BH%01%2C%)
%**=-%*)*%/7H%=%--)IJ991
0%
"7--)*=% K&.
)**%=*
=$K%*,
3%/"
#&.#+E
#(30/%
#
&
-6%/L-),*7)*8
MG-%%3=/
I
SD
&**
1@&'
'
&
"
),*7
>@L*88)
N
S
D
G
S
D
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFR9N20DPBF HEXFET Power MOSFET
IRFU9N20DPbF HEXFET Power MOSFET
IRFRC20PBF HEXFET Power MOSFET
IRFUC20PBF HEXFET Power MOSFET
IRFS11N50APBF HEXFET㈢ Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFU9N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFU9N20DPBF 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFUC20 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFUC20PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFV064 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(3+Tab) TO-258AA 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 45A 3PIN TO-258AA - Bulk