型號(hào): | IRFZ14L |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262 |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 10A條(?。﹟至262 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/5頁(yè) |
文件大?。?/td> | 279K |
代理商: | IRFZ14L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFZ14S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
IRFZ14STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
IRFZ14STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
IRFZ15 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.3A I(D) | TO-220AB |
IRFZ30 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFZ14LPBF | 制造商:VISHAY 制造商全稱(chēng):Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRFZ14PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFZ14S | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFZ14S/L | 制造商:IRF 制造商全稱(chēng):International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology / Surface Mount (IRFZ14S) |
IRFZ14SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |