參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： N-CHANNEL POWER MOSFETS
中文描述： N溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： IRFZ44
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.5. Typical output characteristics, T
j
= 25 C
I
D
= f(V
DS
); parameter V
GS
Fig.6. Typical on-state resistance, T
j
= 25 C
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
GS
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 10 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
0
2
4
6
8
10
0
20
40
60
80
100
ID/A
VDS/V
VGS/V =
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
16
10
9
8.5
0
20
40
60
80
100
0
5
10
15
20
25
30
gfs/S
ID/A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
10
15
20
25
30
35
40VGS/V =
6
6.5
7
8
9
10
ID/A
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0
2
4
6
8
10
12
0
20
40
60
80
100
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
BUK759-60
0
-50
0
50
100
150
200
1
2
3
4
5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
February 1999
4
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44EL MOV 250V RMS 17MM HIGH ENERGY
IRFZ44ES MOV 175V RMS 17MM HIGH ENERGY
IRFZ44N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
IRFZ44NL Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
IRFZ44VZS Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFZ44_11 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ44A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRFZ44CN 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc N-Channel MOSFET Transistor
IRFZ44E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFZ44E-004HR 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube
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