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參數(shù)資料
| 型號： | IRFZ44A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 50A條（?。﹟ TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 358K |
| 代理商： | IRFZ44A |
IRFZ46S/L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ44ND | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | CHIP |
| IRFZ44NSTRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44NSTRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 49A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
| IRFZ44STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFZ44CN | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc N-Channel MOSFET Transistor |
| IRFZ44E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRFZ44E-004HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube |
| IRFZ44EHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 48A 3PIN TO-220AB - Bulk |
| IRFZ44EL | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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