參數(shù)資料
型號(hào)： IRFZ44EL
廠商： International Rectifier
英文描述： MOV 250V RMS 17MM HIGH ENERGY
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 60V的，的Rds（on）\u003d 0.023ohm，身份證\u003d 48A條）
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 64K
代理商： IRFZ44EL
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
TrenchMOS
TM
transistor
IRFZ44N
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 50 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 49 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
1
2
3
4
5
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
typ
2%
98%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
0.01
0.1
1
10
100
0
.5
1
1.5
2
2.5
T
VDS/V
Ciss
Coss
Crss
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
10
20
30
40
50
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
February 1999
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFZ44ES MOV 175V RMS 17MM HIGH ENERGY
IRFZ44N Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=17.5mohm, Id=49A)
IRFZ44NL Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
IRFZ44VZS Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=12mohm, Id=57A)
IRFZ44NS Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.0175ohm, Id=49A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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