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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BC40KD |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小時 |
| 文件頁數(shù)： | 35/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | IRG4BC40KD |
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T0220 Generation IV Package
Part Number
Channel
Voltage
Speed
Hex Size
Frequency Family
IRG4BC20S
IRG4BC30S
IRG4BC40S
N
N
N
600
600
600
Standard
Standard
Standard
2
3
4
Low Frequency
Low Frequency
Low Frequency
IRG4BC20F
IRG4BC20FD
IRG4BC30F
IRG4BC30FD
IRG4BC40F
N
N
N
N
N
600
600
600
600
600
Fast
Fast
Fast
Fast
Fast
2
2
3
3
4
Mid Frequency
Mid Frequency
Mid Frequency
Mid Frequency
Mid Frequency
IRG4BC20U
IRG4BC20UD
IRG4BC30U
IRG4BC30UD
IRG4BC30K
IRG4BC40U
IRG4BC40K
N
N
N
N
N
N
N
600
600
600
600
600
600
600
Ultra-Fast
Ultra-Fast
Ultra-Fast
Ultra-Fast
2
2
3
3
3
4
4
High Frequency
High Frequency
High Frequency
High Frequency
High Frequency
High Frequency
High Frequency
Short Circuit Rated Ultra-Fast
Ultra-Fast
Short Circuit Rated Ultra-Fast
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 35 of 35
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BC40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BC40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BC40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BE40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BE40KD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BC40KPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BC40MD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BC40S | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A) |
| IRG4BC40SD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BC40SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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