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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4BG40SD |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| 中文描述： | FIT率/等效器件小時 |
| 文件頁數(shù)： | 9/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | IRG4BG40SD |
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HIGH TEMPERATURE REVERSE BIAS (HTRB)
T0247 Package
Junction Temperature :
Applied Bias:
Tj = as specified below
Vge = 0V
Vce = 80% of maximum rated BVces
N Channel
MID FREQUENCY ( Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP VOLTAGE QTY
MAX
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
1080 0
2008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGPC30FD2
IRGPC50FD2
9344
9237
150
150
600
600
20
59
2.01E+06
1.10E+07
456
83
TOTALS
79
3088 0
1.30E+07
70
N Channel
HIGH FREQUENCY ( Ultra-Fast )
EQUIVALENT FAILURE RATE @
DEV-HRS
90°C & 60% UCL
@ 90°C
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
TEMP VOLTAGE QTY
MAX
AC FAILURES
TEST
TIME
#
(hours)
2008 0
2008 0
1008 0
2030 0
1080 0
1008 0
MODE
(note b)
FITs
(note a)
(deg C)
(V)
IRGPC40U
IRGPC40U
IRGPC40UD2
IRG4PC40UD2
IRGPC50UD2
IRGPH60UD2
9538
9620
9237
9643
9346
9450
150
150
150
150
150
150
600
600
600
600
600
1200
20
20
20
20
20
10
3.73E+06
3.73E+06
1.87E+06
3.78E+06
2.01E+06
9.37E+05
245
245
489
243
456
977
TOTALS
110
9142 0
1.61E+07
57
NOTES
a. One FIT represents one failure in one billion (1.0E+09) hours.
b. FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 9 of 35
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRG4BG40UD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BH40FD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BH40KD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BH40MD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BH40SD | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4BG40UD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |
| IRG4BH20K-L | 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A TO-262 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BH20K-LPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRG4BH20K-S | 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4BH20K-SPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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