參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PC40KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 2.1V的電壓，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 25A條）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 145K
代理商： IRG4PC40KD
www.irf.com
3
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(For square wave, I=I
RMS
of fundamental; for triangular wave, I=I
PK
)
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
5
6
7
8
9
10
11
12
C
I
T = 25
°
C
T = 150
°
C
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
A
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
0
20
40
60
80
0.1
1
10
100
f, Frequency (kHz)
L
A
60% of rated
voltage
Ideal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125
°
C
T = 90
°
C
Gate drive as specified
Power Dissipation = 35W
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
1
10
100
1000
1
10
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
T = 150
°
C
J
T = 25
°
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
A
I
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PC40S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A)
IRG4PC40UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE( Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC50FDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC50KPBF Short Circuit Rated UltraFast IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4PC40K-E 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 42.000A TO-247 / IGBT : JA / DISCRE
IRG4PC40KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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