參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PG40UD
廠商： International Rectifier
英文描述： Fit Rate / Equivalent Device Hours
中文描述： FIT率/等效器件小時(shí)
文件頁(yè)數(shù)： 18/35頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： IRG4PG40UD
TEMPERATURE CYCLING (T/C) Unbiased
T0247 Package
Temperature Cycle:
Cycle time:
Bias
Tmin = - 55°C, Tmax = + 150°C
25 minutes
None
N Channel
MID / HIGH FREQUENCY
DEVICE
TYPE
DATE
CODE
QTY ACTUAL
CYCLES
FAILURES
#
MODE
(note b)
IRGPC30FD2
IRGPC50FD2
IRGPC40U
IRGPC40U
IRGPC40UD2
IRG4PC40UD2
IRG4PC50U
IRGPC50UD2
IRGPF30F
IRGPH60UD2
9344
9237
9538
9620
9237
9643
9721
9346
9642
9450
39
80
20
20
40
20
20
38
20
10
1000 0
2174 0
2008 0
2055 0
1087 0
1496 0
2086 0
1000 0
2015 0
1044 0
TOTALS
307
15965 0
NOTES
b.
FAILURE MODES:
IGBT / CoPack
Quarterly Reliability Report
Page 18 of 35
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PH40FD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH40MD Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PF50WDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PF50WPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PF50WD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PH20 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH20K 功能描述:IGBT UFAST 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PH20KD 功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 11A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PH20KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PH20KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 4-20kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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