參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PH30
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 3.10V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 10A條）
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
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代理商： IRG4PH30
IRG4PH30KD
6
www.irf.com
0
5
10
15
20
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
I , Collector Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 800V
V = 15V
°
1
10
100
1
10
100
1000
10000
V = 20V
T = 125 C
SAFE OPERATING AREA
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
Fig. 13
- Typical Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector Current
Fig. 12
- Turn-Off SOA
R
1
10
100
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
T = 150
°
C
T = 125
°
C
T = 25
°
C
Forward Voltage Drop - V (V)
I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PH30K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRG4PH30KPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT
IRG4PH40KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRG4PH40UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
IRG4PH40KPBF Short Circuit Rated UltraFast IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4PH30KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PH30KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PH40FD 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 29.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DI
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