參數(shù)資料
型號: IRG4PH30KPBF
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管短路額定IGBT的超快
文件頁數(shù): 2/8頁
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代理商: IRG4PH30KPBF
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PH40KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRG4PH40UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
IRG4PH40KPBF Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PH40UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIDDE
IRG4PH40U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PH40FD 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 29.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DI
IRG4PH40K 功能描述:IGBT UFAST 1200V 30A TO-247AC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時的最大Vce(開):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4PH40KD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PH40KD-E 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 18.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DI
IRG4PH40KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube