參數(shù)資料
型號： IRG4PH40UD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復二極管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 2.43V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 21A條）
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 217K
代理商： IRG4PH40UD
IRG4PH40KD
www.irf.com
5
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
0
20
Q , Total Gate Charge (nC)
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
V
G
V
I
= 400V
= 15A
CC
C
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
res
C
oes
C
ies
0
10
R , Gate Resistance (Ohm)
20
30
40
50
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
T
V = 480V
V = 15V
T = 25 C
I = 15A
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
0.1
1
10
100
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 480V
I = A
30
I = A
15
I = A
7.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PH40KPBF Short Circuit Rated UltraFast IGBT
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