參數(shù)資料
型號： IRG4PH40UDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIDDE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)DIDDE
文件頁數(shù)： 6/11頁
文件大小： 679K
代理商： IRG4PH40UDPBF
IRG4PH40UDPbF
6
www.irf.com
1
10
100
1000
1
10
100
1000
10000
V = 20V
T = 125 C
o
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
SAFE OPERATING AREA
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 13
- Maximum Forward Voltage Drop vs. Instantaneous Forward Current
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
1
10
100
0
2
4
6
8
10
F
I
Forward Voltage Drop - V (V)
T = 150°C
T = 125°C
T = 25°C
0
10
20
30
40
50
0
4
8
12
16
I , Collector-to-emitter Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 800V
V = 15V
°
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PH40U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)
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IRG4PH50 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
IRG4PH50UD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
IRG4PH50UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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IRG4PH40UPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PH50 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
IRG4PH50FD 制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 45.000A COPAK 247 / IGBT : JA / DI
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