參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4PH50U
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管（VCES和\u003d 1200伏，的Vce（on）典型.\u003d 2.78V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 24A條）
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 134K
代理商： IRG4PH50U
Parameter
Max.
1200
45
24
180
180
± 20
170
200
78
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.
A
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )
10 lbfin (1.1Nm)
°C
IRG4PH50U
Ultra Fast Speed IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
E
C
G
n-channel
TO-247AC
Features
UltraFast: Optimized for high operating
frequencies up to 40 kHz in hard switching,
>200 kHz in resonant mode
New IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generations
Optimized for power conversion; SMPS, UPS
and welding
Industry standard TO-247AC package
Benefits
Higher switching frequency capability than
competitive IGBTs
Highest efficiency available
Much lower conduction losses than MOSFETs
More efficient than short circuit rated IGBTs
V
CES
= 1200V
V
CE(on) typ.
=
2.78V
@V
GE
= 15V, I
C
= 24A
Parameter
Typ.
–––
0.24
–––
6 (0.21)
Max.
0.64
–––
40
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient, typical socket mount
Weight
°
C/W
g (oz)
Thermal Resistance
Absolute Maximum Ratings
W
01/14/02
www.irf.com
1
PD - 91574B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4PSC71KDPBF INSUKATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4PSC71UDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PSH71KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4RC10KDPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4RC10KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4PH50UD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247
IRG4PH50UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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