參數(shù)資料
型號(hào)： IRG4RC10KDPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 330K
代理商： IRG4RC10KDPBF
www.irf.com
3
0.1
1
10
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
f, Frequency (KHz)
L
Fig. 1
- Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = I
RMS
of fundamental)
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125°C
T = 90°C
Gate drive as specified
Power Dissipation = W
60% of rated
voltage
I
Ideal diodes
Square wave:
Fig. 2
- Typical Output Characteristics
Fig. 3
- Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1.0
2.0
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
I
C
V = 15V
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
5
10
15
20
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
I
C
V = 50V
5μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
T = 150 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4RC10KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10S INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A)
IRG4RC10SD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4RC10KDTR 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10KDTRL 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KDTRPBF 功能描述:IGBT 模塊 600V 8.500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4RC10KDTRR 制造商:International Rectifier 功能描述:600V 8.500A COPAK D-PAK / IGBT : JA / DI
IRG4RC10KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-25kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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