參數(shù)資料
型號： IRG4RC10UD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管（VCES和\u003d 600V電壓的Vce（on）典型.\u003d 2.15V，@和VGE \u003d 15V的，集成電路\u003d 5.0a中）
文件頁數(shù)： 8/10頁
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代理商： IRG4RC10UD
IRG4RC10KD
8
www.irf.com
Same type
D.U.T.
430μF
80%
Fig. 18a
-
Test Circuit for Measurement of
I
LM
, E
on
, E
off(diode)
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
, t
d(on)
, t
r
, t
d(off)
, t
f
Fig. 18b
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a, Defining
E
off
, t
d(off)
, t
f
∫
Vce ie dt
t1
t2
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VO LTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
DIO DE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
10% Vcc
Eon =
∫
Erec =
t4
t3
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
W AVEFO RMS
Ic
Vpk
Irr
10% Irr
Vcc
trr
∫
Q rr =
trr
tx
id dt
Ic dt
Fig. 18c
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
on
, t
d(on)
, t
r
Fig. 18d
-
Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining E
rec
, t
rr
, Q
rr
, I
rr
Vce Ic dt
t=5μs
d(on)
t
t
f
t
r
90%
t
d(off)
10%
90%
10%
5%
C
I
C
E
on
E
off
E = (E +E )
V
V
ge
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRG4RC10KDTR TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10KDTRL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
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IRG4RC20F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)
IRG4ZH50KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4RC10UDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4RC10UDTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 8.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRG4RC10UDTRLP 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 8-60kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4RC10UDTRP 功能描述:IGBT 模塊 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4RC10UDTRRP 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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