參數(shù)資料
型號: IRG4ZH71KD
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大小: 224K
代理商: IRG4ZH71KD
IRG4ZC71KD
4
www.irf.com
Fig. 6
- Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig. 5
- Typical Collector-to-Emitter Voltage
vs. Junction Temperature
Fig. 4
- Maximum Collector Current vs. Case
Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
°
1.0
2.0
3.0
T , Junction Temperature ( C)
V
C
V = 15V
80 us PULSE WIDTH
I = A
120
I = A
60
I = A
30
25
50
T , Case Temperature ( C)
75
100
125
°
150
0
20
40
60
80
100
M
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak J
DM
thJC
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRGAC40U TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 31A I(C) | TO-204AE
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參數(shù)描述
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IRG6I330U-110P 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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