型號: | IRGB14C40L |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector clamps |
中文描述: | IGBT的具有片上柵極發(fā)射極和柵極采集夾 |
文件頁數(shù): | 6/11頁 |
文件大?。?/td> | 155K |
代理商: | IRGB14C40L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRGSL14C40L | Ignition IGBT(點(diǎn)火線圈絕緣柵雙極型晶體管) |
IRH7054 | 60Volt, 0.025Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(60V, 0.025Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管) |
IRH8054 | 60Volt, 0.025Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(60V, 0.025Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管) |
IRH7250SE | 200Volt, 0.10Ω, MEGA RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(200V, 0.10Ω, MEGA抗輻射 HEXFET 晶體管) |
IRH8250 | LED, ULTRA BRIGHT GREEN T/H |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRGB14C40LPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 430V LO-VCEON DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRGB15B60KD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
IRGB15B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRGB20B60PD1 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS IGBT |
IRGB20B60PD1PBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |