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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHF3110 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
| 中文描述： | 抗輻射功率MOSFET的通孔 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 11/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 460K |
| 代理商： | IRHF3110 |
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 29b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 29a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 28c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 28b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 28a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHF4110 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IRHF3130 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHF3230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHF3330SE | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
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