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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHM58160 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 100V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(100V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 100V的N通道通孔抗輻射功率MOSFET（100V的，通孔安裝抗輻射功率?溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | IRHM58160 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHM57160
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
.
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
16A
22A
35A
TOP
BOTTOM
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PDF描述 |
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