- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377521 > IRHM58Z60 (International Rectifier) 30V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(30V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRHM58Z60 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 30V, N-Channel Thru-hole Radiation Hardened Power MOSFET(30V,通孔安裝抗輻射功率N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 30V的N通道通孔抗輻射功率MOSFET（30V的，通孔安裝抗輻射功率?溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 106K |
| 代理商： | IRHM58Z60 |
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHM57Z60
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
12 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
12V
25
50
75
100
125
150
0
500
1000
1500
2000
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
ID
16A
22A
35A
TOP
BOTTOM
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHM57264SE | Thru-Hole Radiation Hardened Power MOSFET(通孔安裝抗輻射功率MOSFET) |
| IRHM7054 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHM8054 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHM7160 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHM9130 | P-Channel RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(P 溝道 Rad Hard 技術(shù) HEXFET晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHM58Z60SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHM58Z60SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHM593064 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHM593160 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
| IRHM593260 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, HIREL, RAD HARD, R5 - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。