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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHM9130 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | P-Channel RAD HARD HEXFET TRANSISTOR(P 溝道 Rad Hard 技術(shù) HEXFET晶體管) |
| 中文描述： | P溝道晶體管RAD數(shù)據(jù)通信硬的HEXFET性（P溝道拉德硬盤(pán)技術(shù)的HEXFET晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | IRHM9130 |
IRHM9130, IRHM93130 Device
Pre-Irradiation
4
www.irf.com
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
-5.0V
1
10
100
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VDS
20μs PULSE WIDTH
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
-
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
V
=
I =
GS
-12V
-11A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHM93160 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHMS57264SE | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-254AA) 250V, N-CHANNEL |
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| IRHN7054 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHM9130D | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM9130U | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254VAR |
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| IRHM9150D | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM9150SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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