- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384503 > IRHM9150 (International Rectifier) RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRHM9150 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
| 中文描述： | 抗輻射功率MOSFET的通孔（對254AA） |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | IRHM9150 |
IRHM9150
Pre-Irradiation
6
www.irf.com
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0
4
8
12
16
20
24
-
D
0.001
0.01
0.1
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
V
GS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHM93150 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
| IRHM9160 | TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-100V, Rds(on)=0.087ohm, Id=-35*A) |
| IRHM9230 | TRANSISTOR P-CHANNEL(BVdss=-200V, Rds(on)=0.8ohm, Id=-6.5A) |
| IRHM9250 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA) |
| IRHM93250 | RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-254AA) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHM9150D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM9150SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHM9150U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-254VAR |
| IRHM9160 | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 100V 35A 3PIN TO-254AA - Rail/Tube |
| IRHM9160SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。