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參數(shù)資料
| 型號： | IRHN8130 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=100V, Rds(on)=0.18ohm, Id=14) |
| 中文描述： | 晶體管N溝道（BVdss \u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.18ohm，身份證\u003d 14） |
| 文件頁數(shù)： | 9/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 508K |
| 代理商： | IRHN8130 |
IRHN7130, IRHN8130 Devices
Pre-Radiation
Figure 25. – Maximum Safe Operating Area
Figure 22. – Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source
Voltage.
Figure 23. – Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source
Voltage.
Figure 24. – Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
ID = 14A
1
10
100
1000
1
10
100
1000
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150 C
= 25 C
J
C
o
o
VDS
D
I
10us
100us
1ms
10ms
To Order
Next Data Sheet
Index
Previous Datasheet
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRHN7230 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| IRHN8230 | TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=9.0A) |
| IRHN7250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHN8250 | HEXFET Transistor(HEXFET 晶體管) |
| IRHN9130 | P-Channel,-100 Volt, 0.3Ω, RAD HARD HEXFET(P溝道,-100 V, 0.3Ω,抗輻射HEXFET晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRHN8150 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8230 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
| IRHN8250 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:HEXFET, HIREL, RAD HARD,G4 - Bulk |
| IRHN8450SCS | 制造商:International Rectifier 功能描述:HIREL, HEXFET RHD - Bulk |
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