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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRHY7G30CMSE |
| 英文描述： | 1000V 100kRad Hi-Rel Single N-Channel SEE Hardened MOSFET in a TO-257AA package |
| 中文描述： | 1000V 100kRad高可靠性單N溝道MOSFET的看硬化在TO - 257AA封裝 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 110K |
| 代理商： | IRHY7G30CMSE |
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHY7G30CMSE
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
250
500
750
1000
1250
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
rss
C
oss
C
iss
0.1
1
10
0.4
0.5
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
10
100
1000
10000
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
0.01
0.1
1
10
100
ID
Tc = 25
°
C
Tj = 150
°
C
Single Pulse
1ms
1
0ms
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μs
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
1.2A
V
= 200V
DS
V
= 500V
DS
V
= 800V
DS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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