參數(shù)資料
型號(hào)： IRKF132
廠商： International Rectifier
英文描述： FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR
中文描述： 快速晶閘管/二極管和晶閘管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 141K
代理商： IRKF132
IRK.F132.. Series
7
Bulletin I27092 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 9 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
Fig. 12 - Frequency Characteristics
0
30
60
90
120
150
0
20
40
60
80
100
M
Rate Of Fall Of On-state C urrent - di/dt (A/
μs)
IRK.F132.. Series
T = 125
°C
I = 500 A
300 A
200 A
100 A
50 A
0
50
100
150
200
250
0
20
40
60
80
100
M
μ
Rate Of Fall Of On-state C urrent - di/dt (A/
μs)
I = 500 A
300 A
200 A
50 A
IRK.F132.. Series
T = 125 °C
100 A
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
P
IRK.F132.. Series
Sinusoidal Pulse
T = 90
°C
Snubber c irc uit
R = 47 ohms
C = 0.22
μF
V = 80% V
s
DRM
150
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
150
Snubber c irc uit
R = 47 ohms
C = 0.22
μF
V = 80% V
s
DRM
IRK.F132.. Series
Sinusoidal Pulse
T = 60
°C
tp
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
P
150
Snubber circuit
R = 47 ohms
C = 0.22
μF
V = 80% V
s
DRM
IRK.F132.. Series
Tra pezoidal Pulse
T = 90°C, di/dt 50A/μs
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circuit
R = 47 ohms
C = 0.22
μF
V = 80% V
DRM
150
IRK.F132.. Series
Trapezoidal Pulse
T = 90°C , di/dt 100A/μs
tp
1E1
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PDF描述
IRKF132-08HL FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR
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IRKN4204AS90 THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
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