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參數(shù)資料
| 型號： | IRKHF180-12HJ |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,12V,快速可控硅/二極管H結構MAGN-A-pak功率模塊) |
| 中文描述： | 180甲，磁共振-甲柏功率模塊（180A，12V的，快速可控硅/二極管?結構磁共振-甲柏功率模塊） |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | IRKHF180-12HJ |
IRK.F180.. Series
8
Bulletin I27100 rev. A 10/97
www.irf.com
Fig. 13 - Frequency Characteristics
Fig. 14 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
Fig. 15 - Gate Characteristics
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
P
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circuit
R s
Cs
μF
V = 80% V
tp
1E4
IRK.F180.. Series
Trapezoidal pulse
T = 60°C di/dt 50A/μs
DRM
E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F180.. Series
Trapezoidal pulse
T = 60
°C di/dt 100A/μs
Snubber c ircuit
Rs
C s
V = 80% V
tp
DRM
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
VGD
IGD
(b)
(a)
T
°
T
T
(2)
(3)
Instantaneous Gate C urrent (A)
I
a) Recommended load line for
rated di/dt : 10V, 10ohms
b) Recommended load line for
<=30% rated di/dt : 10V, 20ohms
Rectangular g ate pulse
(1) PGM = 8W, tp = 25ms
(2) PGM = 20W, tp = 1ms
(3) PGM = 40W, tp = 5ms
(4) PGM = 80W, tp = 2.5ms
IRK.F180.. Series Frequenc y Limited by PG (AV)
(1)
(4)
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
10 joules per pulse
5
2.5
1
0.5
0.25
0.1
0.05
IRK.F180.. Series
Sinusoida l pulse
P
Pulse Basewidth (
μs)
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
10 joules per pulse
5
2.5
1
0.5
0.25
0.1
0.05
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F180.. Series
Tra pezoidal pulse
di/dt 50A/
μs
tp
1E1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRKHF180-12HK | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,12V,快速可控硅/二極管H結構MAGN-A-pak功率模塊) |
| IRKLF180-12HJ | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,12V,快速可控硅/可控硅L結構MAGN-A-pak功率模塊) |
| IRKLF180-12HK | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,12V,快速可控硅/可控硅L結構MAGN-A-pak功率模塊) |
| IRKTF180-12HJ | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,12V,快速可控硅/可控硅T結構MAGN-A-pak功率模塊) |
| IRKTF180-12HK | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,12V,快速可控硅/可控硅T結構MAGN-A-pak功率模塊) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRKHF180-12HJN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|1.2KV V(RRM)|180A I(T) |
| IRKHF180-12HK | 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK |
| IRKHF180-12HKN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|1.2KV V(RRM)|180A I(T) |
| IRKHF180-12HP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|1.2KV V(RRM)|180A I(T) |
| IRKHF200-02CJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:THYRISTOR MODULE|DOUBLER|HALF-CNTLD|POSITIVE|200V V(RRM)|200A I(T) |
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