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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRKLF180-04HK |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/可控硅L結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊) |
| 中文描述： | 180甲，磁共振-甲柏功率模塊（180A，4V電壓，快速可控硅/可控硅蜇結(jié)構(gòu)磁共振-甲柏功率模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | IRKLF180-04HK |
IRK.F180.. Series
8
Bulletin I27100 rev. A 10/97
www.irf.com
Fig. 13 - Frequency Characteristics
Fig. 14 - Maximum On-state Energy Power Loss Characteristics
Fig. 15 - Gate Characteristics
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
P
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circuit
R s
Cs
μF
V = 80% V
tp
1E4
IRK.F180.. Series
Trapezoidal pulse
T = 60°C di/dt 50A/μs
DRM
E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F180.. Series
Trapezoidal pulse
T = 60
°C di/dt 100A/μs
Snubber c ircuit
Rs
C s
V = 80% V
tp
DRM
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
VGD
IGD
(b)
(a)
T
°
T
T
(2)
(3)
Instantaneous Gate C urrent (A)
I
a) Recommended load line for
rated di/dt : 10V, 10ohms
b) Recommended load line for
<=30% rated di/dt : 10V, 20ohms
Rectangular g ate pulse
(1) PGM = 8W, tp = 25ms
(2) PGM = 20W, tp = 1ms
(3) PGM = 40W, tp = 5ms
(4) PGM = 80W, tp = 2.5ms
IRK.F180.. Series Frequenc y Limited by PG (AV)
(1)
(4)
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
10 joules per pulse
5
2.5
1
0.5
0.25
0.1
0.05
IRK.F180.. Series
Sinusoida l pulse
P
Pulse Basewidth (
μs)
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
10 joules per pulse
5
2.5
1
0.5
0.25
0.1
0.05
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F180.. Series
Tra pezoidal pulse
di/dt 50A/
μs
tp
1E1
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