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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRKLF200-04HK |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | 200 A, MAGN-A-pak Power Modules(200A,4V,快速可控硅/可控硅L結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊) |
| 中文描述： | 200，磁共振-甲柏功率模塊（200安培，4V電壓，快速可控硅/可控硅蜇結(jié)構(gòu)磁共振-甲柏功率模塊） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 154K |
| 代理商： | IRKLF200-04HK |
IRK.F200.. Series
7
Bulletin I27099 rev. A 10/97
www.irf.com
Fig. 9 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
Fig. 12 - Frequency Characteristics
30
60
90
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150
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10
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70
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500A
300A
200A
100A
M
Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
IRK.F200.. Series
T = 125°C
I = 1000A
80
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200
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280
300
320
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50
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80
90 100
300 A
200 A
100 A
500 A
M
μ
Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
I = 1000 A
IRK.F200.. Series
T = 125°C
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
P
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F200.. Series
Sinusoidal pulse
T = 85
°C
Snubber c irc uit
R s
C s
V = 80% V
tp
1E4
DRM
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circ uit
R s
C s
μF
V = 80% V
IRK.F200.. Series
Sinusoidal pulse
T = 60°C
tp
DRM
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
P
IRK.F200.. Series
Tra pezoidal pulse
T = 85
°C di/dt 50A/μs
Snubber c ircuit
R s
Cs
V = 80% V
tp
DRM
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circ uit
R s
Cs
μF
V = 80% V
IRK.F200.. Series
Trapezoidal pulse
T = 85°C di/dt 100A/μs
tp
DRM
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