參數(shù)資料
型號： IRKT91/16A
元件分類： 晶閘管
英文描述： 149.15 A, 1600 V, SCR, TO-240AA
封裝： ADD-A-PAK-7
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 319K
代理商： IRKT91/16A
IRK.71, .91 Series
3
Bulletin I27132 rev. I 09/04
www.irf.com
I
RRM
Max. peak reverse and
I
DRM
off-state leakage current
at VRRM, VDRM
2500 (1 min)
50 Hz, circuit to base, all terminals
3500 (1 sec)
shorted
dv/dt Max. critical rate of rise
T
J = 125
o
C, linear to 0.67 V
DRM,
of off-state voltage (5)
gate open circuit
T
J
Junction operating
temperature range
Tstg
Storage temp. range
- 40 to 125
R
thJC
Max. internal thermal
resistance, junction
0.165
0.135
Per module, DC operation
to case
R
thCS
Typical thermal resistance
case to heatsink
T
Mounting torque ± 10%
to heatsink
busbar
3
wt
Approximate weight
110 (4)
gr (oz)
Case style
TO-240AA
JEDEC
15
mA
T
J = 125
o
C, gate open circuit
Thermal and Mechanical Specifications
500
V/s
Parameters
IRK.71
IRK.91
Units
Conditions
- 40 to 125
0.1
5
Triggering
Blocking
(5) Available with dv/dt = 1000V/s, to complete code add S90 i.e. IRKT91/16AS90.
A mounting compound is recommended
and the torque should be rechecked after
a period of 3 hours to allow for the
spread of the compound
K/W
Nm
Mounting surface flat, smooth and greased
V
INS
RMS isolation voltage
V
P
GM
Max. peak gate power
12
P
G(AV) Max. average gate power
3.0
I
GM
Max. peak gate current
3.0
A
-V
GM
Max. peak negative
gate voltage
V
GT
Max. gate voltage
4.0
TJ = - 40°C
required to trigger
2.5
TJ = 25°C
1.7
TJ = 125°C
I
GT
Max. gate current
270
TJ = - 40°C
required to trigger
150
mA
TJ = 25°C
80
TJ = 125°C
V
GD
Max. gate voltage
T
J = 125
o
C,
that will not trigger
rated V
DRM applied
I
GD
Max. gate current
T
J = 125
o
C,
that will not trigger
rated V
DRM applied
Parameters
IRK.71
IRK.91
Units
Conditions
0.25
V
6mA
W
V
10
Anode supply = 6V
resistive load
Anode supply = 6V
resistive load
°C
Parameters
IRK.71
IRK.91
Units
Conditions
Sine half wave conduction
Rect. wave conduction
Devices
Units
180o
120o
90o
60o
30o
180o
120o
90o
60o
30o
IRK.71
0.06
0.07
0.09
0.12
0.18
0.04
0.08
0.10
0.13
0.18
IRK.91
0.04
0.05
0.06
0.08
0.12
0.03
0.05
0.06
0.08
0.12
°C/W
R Conduction (per Junction)
(The following table shows the increment of thermal resistance RthJC when devices operate at different conduction angles than DC)
相關PDF資料
PDF描述
IRKN91/12A 149.15 A, 1200 V, SCR, TO-240AA
IRKN91/16A 149.15 A, 1600 V, SCR, TO-240AA
IRKT71/08AS90 117.75 A, 800 V, SCR, TO-240AA
IRKT71/12AS90 117.75 A, 1200 V, SCR, TO-240AA
IRKT71/14AS90 117.75 A, 1400 V, SCR, TO-240AA
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRKT92/04A 功能描述:SCR DBL 2SCR 400V 90A ADD-A-PAK RoHS:否 類別:半導體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關文件:SCR Module Selection Guide 標準包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
IRKT92/04P 功能描述:SCR模塊 400 Volt 95 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKT92/06A 功能描述:SCR DBL 2SCR 00V 90A ADD-A-PAK RoHS:否 類別:半導體模塊 >> SCR 系列:- 其它有關文件:SCR Module Selection Guide 標準包裝:10 系列:- 結(jié)構(gòu):串聯(lián) - SCR/二極管 SCR 數(shù)目，二極管:1 SCR，1 個二極管 電壓 - 斷路:1600V 電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）:150mA 電流 - 導通狀態(tài) (It (AV))（最大）:95A 電流 - 導通狀態(tài) (It (RMS))（最大）:210A 電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm):1785A，1870A 電流 - 維持(Ih):250mA 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ADD-A-PAK（3 + 2） 包裝:散裝 其它名稱:*IRKL92/16AIRKL92/16IRKL92/16-ND
IRKT92/06P 功能描述:SCR模塊 600 Volt 95 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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