參數(shù)資料
型號(hào)： IRKTF111-04HNN
廠商： International Rectifier
英文描述： FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
中文描述： 快速晶閘管/二極管和晶閘管/晶閘管
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 141K
代理商： IRKTF111-04HNN
IRK.F112.. Series
6
Bulletin I27091 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 7 - On-state Voltage Drop Characteristics
Fig. 8 - Thermal Impedance Z
thJC
Characteristic
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 4 - On-state Power Loss Characteristics
Fig. 3 - On-state Power Loss Characteristics
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0
20
40
60
80
100
120
RMS Limit
C onduc tion Angle
M
Average On-state C urrent (A)
180
°
120°
90°
60°
30°
IRK.F112.. Series
Per J unc tion
T = 125
°C
0
40
80
120
160
200
240
280
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
DC
180
°
120°
90°
60°
30°
RMS Limit
C onduction Period
M
Avera ge On-state C urrent (A)
IRK.F112.. Series
Per Junction
T = 125
°C
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
1
10
100
Number Of Equa l Amplitude Half C ycle Current Pulses (N)
P
IRK.F112.. Series
Per J unction
Initial T = 125
°C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
At Any Rated Loa d C ondition And With
Ra ted V Applied Following Surge.
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3200
0.01
0.1
1
P
Pulse Train Duration (s)
Versus Pulse Train Duration. Control
Of Conduction May Not Be Maintained.
IRK.F112.. Series
Per J unction
Initial T = 125
°C
No Voltage Reapplied
Rated V Reapplied
Ma ximum Non Repetitive Surge C urrent
10
100
1000
10000
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T = 25
°C
I
Instantaneous On-state Volta ge (V)
IRK.F112.. Series
Per J unction
T = 125°C
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Square Wave Pulse Duration (s)
t
T
Steady State Value
R = 0.17 K/W
(DC Operation)
IRK.F112.. Series
Per Junction
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRKTF112-04HNN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKTF111-08HNN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKTF112-08HNN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKHF132-08HL INT-A-pak Power Modules(可控硅/二極管H結(jié)構(gòu)INT-A-pak功率模塊)
IRKTF131-08HLN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRKTF132-08HL 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述:
IRKTF180-08HK 功能描述:SCR模塊 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF180-12HJ 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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