參數(shù)資料
型號(hào)： IRKTF131-04HLN
廠商： International Rectifier
英文描述： FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
中文描述： 快速晶閘管/二極管和晶閘管/晶閘管
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 137K
代理商： IRKTF131-04HLN
IRK.F132.. Series
2
Bulletin I27092 rev. A 09/97
www.irf.com
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Voltage Ratings
Voltage
Code
V
RRM
/V
DRM
, maximum repetitive
peak reverse voltage
V
V
RSM
, maximum non-
repetitive peak rev. voltage
V
I
RRM
/I
DRM
max.
@ T
J
= 125°C
mA
Type number
04
400
400
08
800
800
I
T(AV)
Maximum average on-state current
@ Case temperature
130
90
A
°C
180° conduction, half sine wave
I
T(RMS)
Maximum RMS current
I
TSM
non-repetitive surge current
293
A
T
C
= 90°C, as AC switch
t = 10ms
No voltage
Maximum peak, one-cycle,
3210
A
3360
t = 8.3ms
reapplied
2700
t = 10ms
100% V
RRM
reapplied
2825
t = 8.3ms
Sinusoidal half wave,
I
2
t
Maximum I
2
t for fusing
51.5
KA
2
s
t = 10ms
No voltage
Initial T
J
= 125°C
47.0
t = 8.3ms
reapplied
36.5
t = 10ms
100% V
RRM
reapplied
33.3
t = 8.3ms
I
2
√
t
Maximum I
2
√
t for fusing
515
KA
2
√
s
t = 0 to 10ms, no voltage reapplied
V
T(TO)1
Low level value of threshold voltage
V
T(TO)2
High level value of threshold voltage
1.16
V
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
(I >
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
(16.7% x
π
x I
T(AV)
< I <
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
(I >
π
x I
T(AV)
), T
J
= T
J
max.
1.25
r
t1
Low level value of on-state slope resistance
0.92
mW
r
t2
High level value of on-state slope resistance
0.77
V
TM
Maximum on-state voltage drop
1.71
V
I
pk
= 600A, T
J
= T
J
max., t
p
= 10ms sine pulse
I
H
I
L
Maximum holding current
600
mA
T
J
= 25°C, I
T
> 30 A
T
J
= 25°C, V
A
= 12V, Ra = 6
, Ig
= 1A
Typical latching current
1000
mA
Parameter
IRK.F132..
Units Conditions
On-state Conduction
Frequency f
Units
50Hz
400Hz
250
320
420
530
408
485
640
800
2465
1470
3460
2150
A
A
2500Hz
240
390
400
650
540
830
A
5000Hz
210
340
340
530
340
530
A
10000Hz
160
275
300
415
-
-
A
Recovery voltage Vr
50
50
50
50
50
50
V
Voltage before turn-on Vd
80% V
DRM
80% V
DRM
80% V
DRM
V
Rise of on-state current di/dt
50
50
-
-
-
-
A/μs
Case temperature
90
60
90
60
90
60
°C
Equivalent values for RC circuit
47
/ 0.22 μF
47
/ 0.22 μF
47
/ 0.22 μF
I
TM
I
TM
180
o
el
100μs
I
TM
180
o
el
Current Carrying Capacity
IRK.F132..
30
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRKTF132-04HLN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKHF180-08HJ 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,8V,快速可控硅/二極管H結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
IRKHF180-04HJ 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/二極管H結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
IRKHF180-04HK 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/二極管H結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
IRKLF180-04HJ 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,4V,快速可控硅/可控硅L結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRKTF132-08HL 制造商:TT Electronics / IRC 功能描述:
IRKTF180-08HK 功能描述:SCR模塊 800 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF180-12HJ 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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