參數(shù)資料
型號： IRKTF152-04HL
廠商： International Rectifier
英文描述： INT-A-pak Power Modules(可控硅/可控硅T結構INT-A-pak功率模塊)
中文描述： 相依甲柏功率模塊（可控硅/可控硅?結構相依甲柏功率模塊）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 137K
代理商： IRKTF152-04HL
IRK.F132.. Series
7
Bulletin I27092 rev. A 09/97
www.irf.com
Fig. 9 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
Fig. 12 - Frequency Characteristics
0
30
60
90
120
150
0
20
40
60
80
100
M
Rate Of Fall Of On-state C urrent - di/dt (A/
μs)
IRK.F132.. Series
T = 125
°C
I = 500 A
300 A
200 A
100 A
50 A
0
50
100
150
200
250
0
20
40
60
80
100
M
μ
Rate Of Fall Of On-state C urrent - di/dt (A/
μs)
I = 500 A
300 A
200 A
50 A
IRK.F132.. Series
T = 125 °C
100 A
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
P
IRK.F132.. Series
Sinusoidal Pulse
T = 90
°C
Snubber c irc uit
R = 47 ohms
C = 0.22
μF
V = 80% V
s
DRM
150
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
150
Snubber c irc uit
R = 47 ohms
C = 0.22
μF
V = 80% V
s
DRM
IRK.F132.. Series
Sinusoidal Pulse
T = 60
°C
tp
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
P
150
Snubber circuit
R = 47 ohms
C = 0.22
μF
V = 80% V
s
DRM
IRK.F132.. Series
Tra pezoidal Pulse
T = 90°C, di/dt 50A/μs
tp
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
2500
5000
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circuit
R = 47 ohms
C = 0.22
μF
V = 80% V
DRM
150
IRK.F132.. Series
Trapezoidal Pulse
T = 90°C , di/dt 100A/μs
tp
1E1
相關PDF資料
PDF描述
IRKHF152-08HL INT-A-pak Power Modules(可控硅/二極管H結構INT-A-pak功率模塊)
IRKLF132-08HL INT-A-pak Power Modules(可控硅/可控硅L結構INT-A-pak功率模塊)
IRKLF152-08HL INT-A-pak Power Modules(可控硅/可控硅L結構INT-A-pak功率模塊)
IRKTF131-04HLN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
IRKTF132-04HLN FAST THYRISTOR/ DIODE and THYRISTOR/ THYRISTOR
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參數(shù)描述
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IRKTF180-12HJ 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF200-08HK 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復通態(tài)電流:4000 A 最大轉折電流 IBO:4200 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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