參數(shù)資料
型號： IRKTF180-08HK
廠商： International Rectifier
英文描述： 180 A, MAGN-A-pak Power Modules(180A,8V,快速可控硅/可控硅T結(jié)構(gòu)MAGN-A-pak功率模塊)
中文描述： 180甲，磁共振-甲柏功率模塊（180A，8V的，快速可控硅/可控硅?結(jié)構(gòu)磁共振-甲柏功率模塊）
文件頁數(shù)： 7/8頁
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代理商： IRKTF180-08HK
IRK.F180.. Series
7
Bulletin I27100 rev. A 10/97
www.irf.com
Fig. 9 - Reverse Recovery Charge Characteristics
Fig. 10 - Reverse Recovery Current Characteristics
Fig. 11 - Frequency Characteristics
Fig. 12 - Frequency Characteristics
20
40
60
80
100
120
140
160
180
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
500A
300A
200A
100A
M
Rate Of Fall Of Forward C urrent - di/dt (A/
μs)
IRK.F180.. Series
T = 125°C
I = 1000A
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
320
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
300 A
200 A
100 A
500 A
M
μ
Rate Of Fall Of Forwa rd C urrent - di/dt (A/
μs)
IRK.F180.. Series
T = 125°C
I = 1000 A
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Snubber c ircuit
Rs
Cs
μF
V = 80% V
P
Pulse Basewidth (
μs)
tp
1E4
IRK.F180.. Series
Tra pezoidal pulse
T = 85
°C di/dt 50A/μs
DRM
E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Snubber c ircuit
R s
Cs
μF
V = 80% V
Pulse Basewidth (
μs)
tp
DRM
IRK.F180.. Series
Trapezoidal pulse
T = 85
°C di/dt 100A/μs
1E1
1E2
1E3
1E4
1E1
1E2
1E3
1E4
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
P
Pulse Basewidth (
μs)
Snubber circ uit
R = 10 ohms
C = 0.47
μF
V = 80% V
D
tp
Sinusoidal pulse
T = 85 °C
DRM
IRK.F180.. Series
1E1
1E1
1E2
1E3
1E4
50 Hz
400
1000
5000
150
2500
Pulse Basewidth (
μs)
IRK.F180.. Series
Sinusoidal pulse
T = 60
°C
Snubber c irc uit
R = 10 ohms
C = 0.47 μF
V = 80% V
D
tp
DRM
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRKTF180-12HK 功能描述:SCR模塊 1200 Volt 180 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF200-08HJ 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
IRKTF200-08HK 功能描述:SCR模塊 800 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流（Ih 最大值）: 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK
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