參數(shù)資料
型號： IRL3713L
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： IRL3713L
IRL3713/S/L
2
www.irf.com
Symbol
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Parameter
Min
30
–––
–––
–––
1.0
–––
–––
–––
–––
–––
Typ
–––
0.027
2.6
3.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Max Units
–––
–––
3.0
4.0
2.5
50
20
100
200
-200
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
V
V/°C
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Symbol
gfs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS
R
G
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Parameter
Min
76
–––
–––
–––
Typ
–––
75
24
37
61
–––
16
160
40
57
5890
3130
630
Max Units
–––
110
–––
–––
92
3.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
S
nC
0.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Symbol
E
AS
I
AR
Diode Characteristics
Parameter
Units
mJ
A
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max Units
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.80
0.68
75
140
78
160
1.3
–––
110
210
120
240
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
T
J
= 125°C, I
F
= 30A, V
R
= 20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
S
= 30A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 30A, V
R
= 0V
di/dt = 100A/μs
Conditions
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 30A, V
GS
= 0V
MOSFET symbol
showing the
–––
Conditions
V
DS
= 15V, I
D
= 30A
I
D
= 30A
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
1530
46
V
DS
= 30V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 38A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 30A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
Max
V
DD
= 15V
I
D
= 30A
R
G
= 1.8
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
GSS
Avalanche Characteristics
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
m
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
μA
Avalanche Current
Typ
–––
nA
ns
pF
Single Pulse Avalanche Energy
I
S
–––
–––
260
V
SD
Diode Forward Voltage
V
A
I
SM
–––
––– 1040
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRL3713S SMPS MOSFET
IRL3714 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A)
IRL3714STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB
IRL3714STRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 36A I(D) | TO-263AB
IRL3714L Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=20mohm, Id=36A)
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參數(shù)描述
IRL3713LPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRL3713PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 200A 3mOhm 75nC Log LvlAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRL3713S 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRL3713SHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 260A 3PIN D2PAK - Bulk
IRL3713SPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3mOhms 75nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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