| 型號： | IRL640S |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 17A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫歐 @ 10A，5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | D2PAK |
| 包裝： | 管件 |
| 其它名稱： | *IRL640S |