參數(shù)資料
型號： IRL80
廠商： SIEMENS AG
英文描述： GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter
中文描述： 砷化鎵Infrarot - Sendediode砷化鎵紅外發(fā)射器
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 122K
代理商： IRL80
IRL 80 A
Semiconductor Group
2
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Maximum Ratings
1)
Ein Silizium-Empfnger mit 1 cm
2
strahlungsempfindlicher Flche wird nach der mechanischen Achse
ausgerichtet. Es wird eine Lochblende verwendet.
1)
A 1 cm
2
silicon detector is aligned with the mechanical axis. An aperture is used.
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
°
C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
– 40 ... + 100
Lttemperatur
Ltstelle
≥
0.15 cm vom Gehuse,
Ltzeit
t
= 5 s
Sodering temperature,
≥
0.15 mm distance
from case bottom, soldering time
t
= 5 s
Sperrspannung
Reverse voltage
T
S
240
°
C
V
R
3
V
Durchlastrom
Forward current
I
F
60
mA
Verlustleistung
Power dissipation
Verringerung der Verlustleistung,
T
A
> 25
°
C
Derate above,
T
A
> 25
°
C
Wrmewiderstand
Thermal resistance
P
tot
100
mW
1.33
mW/
°
C
R
thJA
750
K/W
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlnge der Strahlung bei
I
max
Wavelength of peak emission
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
Abstrahlwinkel
Half angle
Durchlaspannung,
I
F
= 20 mA
Forward voltage
Strahlstrke
1)
,
I
F
= 20 mA
Radiant intensity
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
950
nm
λ
±
20
nm
±
30
Grad
deg.
V
F
≤
1.5
V
I
e
≥
0.4
mW/sr
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PDF描述
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