參數(shù)資料
型號： IRLBA3803
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（馬鞍山的HEXFET功率場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRLBA3803
IRLBA3803/P
6
www.irf.com
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
4.5
V
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
300
600
900
1200
1500
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 15V
I
TOP 29A
50A
BOTTOM 71A
D
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
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