參數(shù)資料
型號(hào)： IRLD014PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
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代理商： IRLD014PBF
8
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12/04
THIS IS AN IRFD120
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A = ASSEMBLY SITE CODE
Y = YEAR
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RECTIFIER
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INTERNATIONAL
IRFD120
XXXX
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRLD024PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLD110PBF HEXFET Power MOSFET
IRLD120PBF HEXFET Power MOSFET
IRLD120 HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRLF120 HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-39)
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參數(shù)描述
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IRLD024_10 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRLD024PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLD110 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRLD110PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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